Специалисты компании IBM, совместно со специалистами Научно-исследовательской лаборатории ВВС США, начали работы по созданию первой в мире крупномасштабной нейроморфной вычислительной системы TrueNorth Neurosynaptic System.
Исследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) нашли новый способ эффективного управления концентрацией кислорода в тонких пленках оксида тантала, полученных методом смещения атомных слоев. А эти пленки, в свою очередь, могут стать активными элементами новых типов энергонезависимой памяти, обладающей скоростными характеристиками, сравнимыми с характеристиками динамической памяти (DRAM).
Электрические, магнитные и другие физические и химические свойства материалов претерпевают кардинальные изменения при переходе от обычной формы материала к его условно плоской, двухмерной форме.
Ученые из Техасского университета в Далласе разработали и изготовили опытные образцы новых транзисторов, структура которых полностью состоит из углерода.
На кристаллах самых современных и самых маленьких чипов, выпускаемых электронной промышленностью на сегодняшний день, находятся транзисторы, длина канала и затвора (управляющего электрода) которых составляет всего 10 нанометров.
Три группы ученых, работающие независимо друг от друга, нашли практически идентичные способы увеличения разрешающей способности и, следовательно, точности, квантово-магнитных датчиков.
Специалисты компании IBM, совместно со специалистами Научно-исследовательской лаборатории ВВС США, начали работы по созданию первой в мире крупномасштабной нейроморфной вычислительной системы TrueNorth Neurosynaptic System.
В начале этого года мы рассказывали нашим читателям о новом прозрачном дисплее, разработанном специалистами компании Japan Display Inc (JDI).
Исследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) нашли новый способ эффективного управления концентрацией кислорода в тонких пленках оксида тантала, полученных методом смещения атомных слоев. А эти пленки, в свою очередь, могут стать активными элементами новых типов энергонезависимой памяти, обладающей скоростными характеристиками, сравнимыми с характеристиками динамической памяти (DRAM).
Электрические, магнитные и другие физические и химические свойства материалов претерпевают кардинальные изменения при переходе от обычной формы материала к его условно плоской, двухмерной форме.
Ученые из Техасского университета в Далласе разработали и изготовили опытные образцы новых транзисторов, структура которых полностью состоит из углерода.
На кристаллах самых современных и самых маленьких чипов, выпускаемых электронной промышленностью на сегодняшний день, находятся транзисторы, длина канала и затвора (управляющего электрода) которых составляет всего 10 нанометров.
Три группы ученых, работающие независимо друг от друга, нашли практически идентичные способы увеличения разрешающей способности и, следовательно, точности, квантово-магнитных датчиков.
