Исследователи из китайского университета Электронных наук и технологий (University of Electronic Science and Technology) и Технологического университета Наньянга (Nanyang Technological University),

В полупроводниковой индустрии в настоящее время есть только одна стратегия дальнейшего увеличения быстродействия и эффективности электронных устройств - уменьшение размеров базовых полупроводниковых приборов, транзисторов, для того, чтобы имелась возможность упаковки большего их числа на поверхность кристалла одного чипа.

Специалисты компании IBM, совместно со специалистами Научно-исследовательской лаборатории ВВС США, начали работы по созданию первой в мире крупномасштабной нейроморфной вычислительной системы TrueNorth Neurosynaptic System.

В начале этого года мы рассказывали нашим читателям о новом прозрачном дисплее, разработанном специалистами компании Japan Display Inc (JDI).

Исследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) нашли новый способ эффективного управления концентрацией кислорода в тонких пленках оксида тантала, полученных методом смещения атомных слоев. А эти пленки, в свою очередь, могут стать активными элементами новых типов энергонезависимой памяти, обладающей скоростными характеристиками, сравнимыми с характеристиками динамической памяти (DRAM).

Электрические, магнитные и другие физические и химические свойства материалов претерпевают кардинальные изменения при переходе от обычной формы материала к его условно плоской, двухмерной форме.

Ученые из Техасского университета в Далласе разработали и изготовили опытные образцы новых транзисторов, структура которых полностью состоит из углерода.