На конференции Flash Memory Summit, проходившей недавно в Калифорнии и посвященной разным вопросам, связанным с флэш-памятью, компания Samsung представила вниманию общественности новую технологию флэш-памяти с трехмерным размещением ячеек (V-NAND).

Исследователи из Московского физико-технического института (МФТИ), совместно с их коллегами из Института радиотехники и электроники РАН имени Котельникова разработали и изготовили опытные образцы нового типа магнитной компьютерной памяти с произвольным доступом.

Деятельность исследователей, работающих в области так называемой молекулярной электроники, направлена на создание аналогов базовых электронных компонентов, состоящих из отдельных молекул различных химических соединений.

Идея замены электронов фотонами света и создание вычислительных систем, способных работать буквально со скоростью света, витает в научном сообществе уже достаточно долго.

Группа ученых из университета штата Вашингтон (Washington State University, WSU) нашла достаточно простой способ "записи" элементов электронных схем на поверхности кристаллического основания.

Ученые из Школы технических и прикладных наук (School of Engineering and Applied Science, SEAS) университета Джорджа Вашингтона разработали и изготовили опытные образцы новых фотогальванических ячеек солнечных батарей.

Группа исследователей из Франции, Японии и США общими усилиями создала наноразмерное магнитное устройство, работа которого подражает работе нейрона головного мозга и которое может использоваться для распознавания звуков человеческой речи, к примеру.