Существующие транзисторы используют полупроводниковый n-p переход,
причем материалы по разные стороны контакта представляют собой
легированные различными атомами полупроводники для создания необходимого
типа проводимости.Однако при уменьшении размера транзистора возникает проблема поддержания
высокого градиента концентраций допантов, который может уменьшаться за
счет диффузии в n-p- переходе. Это заставляет исследователей
полупроводниковых материалов искать альтернативные пути решения этой
проблемы, в частности, при помощи отказа от использования n-p переходов в
транзисторах. Возникает закономерный вопрос: как же это возможно?
