Транзисторы Toshiba выполнены по новой технологии DTMOS II
Транзисторы Toshiba выполнены по новой технологии DTMOS II и охватывают диапазон токов 12, 15 и 20 Ампер. Они характеризуются лучшими в своем классе характеристиками заряда затвора и сопротивления открытого канала, способствующие повышению эффективности процесса коммутации. Структура Super Junction дополнительно способствует улучшению робастности и стойкости к перенапряжениям. По сравнению с обычными MOSFET-транзисторами, данные транзисторы предлагают на 68 процентов меньшее произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала.
Транзисторы выполнены по инновационной технологии корпусирования, за основу которой взят изолированный корпус TO-220. Проволочные соединители в нём заменены на формованные медные соединители. В отличие от проволочного соединения, так называемая технология WARP обеспечивает двухкратное увеличение тока перегорания соединителя, снижение его сопротивления и улучшение тепловых характеристик не в ущерб стоимости. В дальнейшем планируется расширение данного семейства транзисторами с током стока до 50А при сопротивлении открытого канала всего лишь 65 мОм. Наименование Корпус VDSS ID RDS(ON) QG TK20J60U TO-3P 600 В 20 А 0.19 Ω 27 нКл TK20A60U TO-220SIS 600 В 20 А 0.19 Ω 27 нКл TK20D60U TO-220W 600 В 20 А 0.19 Ω 27 нКл TK20X60U TFP 600 В 20 А 0.19 Ω 27 нКл TK15J60U TO-3P 600 В 15 А 0.3 Ω 17 нКл TK15A60U TO-220SIS 600 В 15 А 0.3 Ω 17 нКл TK15D60U TO-220W 600 В 15 А 0.3 Ω 17 нКл TK15X60U TFP 600 В 15 А 0.3 Ω 17 нКл TK12J60U TO-3P 600 В 12 А 0.4 Ω 14 нКл TK12A60U TO-220SIS 600 В 12 А 0.4 Ω 14 нКл TK12D60U TO-220W 600 В 12 А 0.4 Ω 14 нКл TK12X60U TFP 600 В 12 А 0.4 Ω 14 нКл
Отличительные особенности
* Высокоэффективные мощные MOSFET-транзисторы * Высокая обратно-восстанавливающая способность * Пороговое напряжение: >3 Вольт (меньшее напряжение может привести к ложному срабатыванию) * Малый заряд затвора: высокая скорость коммутации * Доступно исполнение в различных корпусах
