САЙТ ХАРЬКОВСКИХ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ

НОВОСТИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ



Вы вошли как Гость | Группа "Гости"Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта
Категории раздела
Мои статьи [956] Книги [0]
Мини-чат
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Неплохо
4. Плохо
5. Ужасно
Всего ответов: 338
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

C Днём Рождения Поздравляем!!!

US8ITI(46), sbrant(46), C@cuco4ka(33), dsa438(67), гоша(72), US7IHA(52)
Форма входа


НАШ БАННЕР

ГЛАВНАЯ » Статьи » Мои статьи

Транзисторы нового типа могут быть использованы для производства высокопроизводительной и высокоэффективной гибкой электроники
Помимо обладания высокими электрическими показателями, такие транзисторы могут производиться при помощи быстрых, простых и недорогих методов производства, которые могут быть легко расширены до масштабов массового промышленного производства. Данное достижение позволит разработчикам в скором будущем создавать новые передовые носимые и мобильные устройства, обладающие высокими интеллектуальными способностями и способными сохранять свою работоспособность при сжатии, растяжении и других видах деформации.

Новый тонкопленочный транзистор изготавливается по BiCMOS-технологии (bipolar complementary metal oxide semiconductor). Эти транзисторы обладают высоким быстродействием, способны пропускать через себя достаточно большой ток, работать при относительно высоком напряжении и имеют малое переходное сопротивление, что позволяет снизить количество энергии, тратящейся впустую в виде выделяемого тепла. При этом, вся структура транзистора наносится на поверхность подложки кремниевой наномембраны в ходе одноэтапного процесса высокотемпературной обработки.
BiCMOS-транзисторы являются предпочтительным видом транзисторов для устройств обработки "смешанных сигналов", комбинирующих обработку как аналоговых, так и цифровых сигналов. К таким устройствам относится большинство используемых нами в повседневной жизни портативных устройств, мобильные телефоны, к примеру. "И теперь, благодаря появлению новых транзисторов, такие устройства смогут стать гибкими" - рассказывает Ма Жэнкянг (Zhenqiang Ma), профессор электроники и электротехники.

При использовании традиционных технологий производство тонкопленочных BiCMOS-транзисторов является долгим процессом, в котором используется несколько этапа высокотемпературной обработки. И даже незначительное отклонение температуры одного этапа может разрушить элементы структуры будущего транзистора, изготовленные при помощи предыдущих этапов.

"При промышленном производстве процесс изготовления BiCMOS-транзисторов длится около трех месяцев" - рассказывает Ма Жэнкянг, - "Наш процесс, благодаря исключению из него множества промежуточных этапов, позволяет уложиться в одну неделю. И это все вместе позволит наладить выпуск устройств с такими транзисторами уже в самом ближайшем будущем".
Категория: Мои статьи | Добавил: Alex (22 Окт 2017)
Просмотров: 265 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ РЕГИСТРАЦИЯ | ВХОД ]
ПОИСК

Архив записей

Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • База знаний uCoz
  • Лучшие сайты рунета
  • Кулинарные рецепты

  • Рейтинг@Mail.ru

    Яндекс цитирования.