САЙТ ХАРЬКОВСКИХ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ

НОВОСТИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ


Меню сайта
Категории раздела
Мои статьи [912]Книги [0]
Мини-чат
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Неплохо
4. Плохо
5. Ужасно
Всего ответов: 315
Статистика

Онлайн всего: 6
Гостей: 6
Пользователей: 0

C Днём Рождения Поздравляем!!!

ut6ei(73), Games(63), kkozak(52), ut6ei5434(73), RV4HL(66), ingvar(74), andrinel(35), ДАК(55), Neverbeast(35)
Форма входа


ПОИСК ПО ПОЗЫВНОМУ
"Работает"

НАШ БАННЕР

ГЛАВНАЯ » Статьи » Мои статьи

Получены первые образцы оксидного полупроводника одноатомной толщины
Напомним нашим читателям, что современная электронная и полупроводниковая техника все время стремится к сокращению размеров базовых компонентов и к увеличению эффективности их работы. Это касается и традиционных кремниевых полупроводниковых технологий, которые, тем не менее, уже практически приблизились к минимальному теоретическому пределу, ограничения которого определены некоторыми базовыми физическими законами. Поэтому достаточно большое количество исследований сосредоточено на отличных от кремния полупроводниковых материалах, которые рассматриваются в качестве альтернативных вариантов.

Двухмерный оксид цинка выращивается в буквальном смысле атом за атомом на графеновой подложке, используя так называемую технологию смещения слоев. Полученные учеными образцы полупроводникового материала позволили установить экспериментальным путем, что у материала имеется достаточно широкая запрещенная зона (до 4.0 эВ), а из-за сотовидного, подобного графену, строения, этот материал обладает высокой оптической прозрачностью.

Для сравнения, у существующих на сегодняшний день оксидных полупроводников другого типа имеется запрещенная зона порядка 2.9-3.5 эВ. И чем больше значение запрещенной зоны, тем качественней будет работа полупроводника, тем меньшим током утечки и меньшим собственным шумом будет обладать устройство из этого материала.

"Созданный нами полупроводниковый материал обладает огромным потенциалом для его применения в оптоэлектронных технологиях следующего поколения, где требуются хорошие полупроводниковые качества, высокая прозрачность и гибкость используемых материалов" - рассказывает профессор Ли, - "Но для практического применения нашего достижения нам придется еще немало поработать, ведь для этого потребуется, как минимум, разработать подходящую технологию производства нового материала в промышленных масштабах".
Категория: Мои статьи | Добавил: Alex (11 Фев 2017)
Просмотров: 159 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ РЕГИСТРАЦИЯ | ВХОД ]
ПОИСК

Архив записей

Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • База знаний uCoz
  • Лучшие сайты рунета
  • Кулинарные рецепты

  • Рейтинг@Mail.ru

    Яндекс цитирования.