Получены первые образцы оксидного полупроводника одноатомной толщины
Напомним нашим читателям, что современная электронная и полупроводниковая техника все время стремится к сокращению размеров базовых компонентов и к увеличению эффективности их работы. Это касается и традиционных кремниевых полупроводниковых технологий, которые, тем не менее, уже практически приблизились к минимальному теоретическому пределу, ограничения которого определены некоторыми базовыми физическими законами. Поэтому достаточно большое количество исследований сосредоточено на отличных от кремния полупроводниковых материалах, которые рассматриваются в качестве альтернативных вариантов.
Двухмерный оксид цинка выращивается в буквальном смысле атом за атомом на графеновой подложке, используя так называемую технологию смещения слоев. Полученные учеными образцы полупроводникового материала позволили установить экспериментальным путем, что у материала имеется достаточно широкая запрещенная зона (до 4.0 эВ), а из-за сотовидного, подобного графену, строения, этот материал обладает высокой оптической прозрачностью.
Для сравнения, у существующих на сегодняшний день оксидных полупроводников другого типа имеется запрещенная зона порядка 2.9-3.5 эВ. И чем больше значение запрещенной зоны, тем качественней будет работа полупроводника, тем меньшим током утечки и меньшим собственным шумом будет обладать устройство из этого материала.
"Созданный нами полупроводниковый материал обладает огромным потенциалом для его применения в оптоэлектронных технологиях следующего поколения, где требуются хорошие полупроводниковые качества, высокая прозрачность и гибкость используемых материалов" - рассказывает профессор Ли, - "Но для практического применения нашего достижения нам придется еще немало поработать, ведь для этого потребуется, как минимум, разработать подходящую технологию производства нового материала в промышленных масштабах".
