САЙТ ХАРЬКОВСКИХ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ

НОВОСТИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ



Вы вошли как Гость | Группа "Гости"Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта
Категории раздела
Мои статьи [956] Книги [0]
Мини-чат
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Неплохо
4. Плохо
5. Ужасно
Всего ответов: 339
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

C Днём Рождения Поздравляем!!!

oleks(72), 19nekon73(51), ХАН(71), UR5QA(62)
Форма входа


НАШ БАННЕР

ГЛАВНАЯ » Статьи » Мои статьи

Новая технология микроскопии облегчит разработку и обеспечит контроль производства трехмерных полупроводниковых чипов
С помощью этой технологии, называемой TSOM (Through-Focus Scanning Optical Microscopy), можно не только рассмотреть наноразмерные компоненты чипов, которые до недавнего времени были двухмерными конструкциями, но и с достаточно высокой точностью определить различия в их формах и размерах, что и требуется для проведения технологического контроля.

Новые поколения полупроводниковых чипов имеют в своем составе трехмерные элементы, которые накладываются друг на друга. Для правильной и надежной работы чипа в целом требуется, чтобы все компоненты имели правильные формы и строго заданные габариты. Существующие методы микроскопии, электронной, атомно-силовой и другие, могут обеспечить контроль формы и размеров элементов чипа, но сделают это крайне медленно, с риском нанести повреждения хрупкой структуре чипа и стоят крайне дорого. А использование оптических методов микроскопии ограничивается тем, что размеры элементов чипов намного меньше половины длины волны света видимого диапазона (250 нанометров для зеленого света), поэтому оптический микроскоп физически не может увидеть столь маленькие объекты.

Изображения TSOM

Изображения TSOM


Технология TSOM позволяет увидеть оптическим способом объекты, размеры которых приблизительно равны 10 нанометрам, а в перспективе и еще меньше. В методе TSOM используется обычный оптический микроскоп, который делает не один, а множество расфокусированных двухмерных снимков интересующего объекта с нескольких точек зрения. Используя изменения яркости с этих расфокусированных снимков компьютер вычисляет градиенты света и определяет границы снимаемых объектов, создавая таким образом результирующее трехмерное изображение.

Изображения, получаемые с помощью метода TSOM несколько абстрактны, но детали, которые на них видны, позволяют с достаточно высокой точностью определить различия в формах и размерах компонентов полупроводниковых чипов.

"Наши исследования показали, что с помощью метода TSOM мы можем рассмотреть элементы, размерами около 10 нанометров, чего вполне достаточно для обеспечения контроля технологических процессов производства полупроводников на ближайшее десятилетие" - рассказывает Рэвикирэн Аттота (Ravikiran Attota), ученый из NIST, - "Кроме этого, технологию TSOM можно будет использовать не только в электронной промышленности, но и в других отраслях промышленности, в науке и везде там, где требуется производить анализ и контроль форм крошечных трехмерных объектов".
Категория: Мои статьи | Добавил: Alex (08 Июл 2013)
Просмотров: 348 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ РЕГИСТРАЦИЯ | ВХОД ]
ПОИСК

Архив записей

Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • База знаний uCoz
  • Лучшие сайты рунета
  • Кулинарные рецепты

  • Рейтинг@Mail.ru

    Яндекс цитирования.