Отметим, что на чипах всех современных процессоров и систем-на-чипе транзисторы располагаются на поверхности в горизонтальной плоскости и в этой же плоскости также протекают электрические токи, от одного участка транзистора к другому. В отличие от этого, компоненты транзисторов VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг к другу, а электрический ток через транзистор течет в вертикальном направлении.По представленным данным, транзисторы VTFET имеют два преимущества по сравнению с традиционными транзисторами. Во-первых, при их помощи можно будет продлить сохранение закона Гордона Мура при переходе на субнанометровые технологии производства полупроводниковых чипов. И во-вторых, некоторые особенности конструкции новых транзисторов позволят кардинально сократить количество потраченной впустую энергии, которая обычно превращается в паразитное тепло.
Согласно предварительным оценкам процессоры, построенные на базе VTFET транзисторов, будут в два раза быстрей и будут потреблять на 85 процентов меньше энергии, чем процессоры на безе текущих транзисторов FinFET. Смартфоны с процессорами и другими чипами на базе новых транзисторов смогут работать минимум неделю на одном заряде аккумуляторных батарей, а такие задачи, как майнинг криптовалют или суперкомпьютерные вычисления станут менее энергоемкими и будут оказывать меньшее влияние на окружающую среду.

Представители компаний IBM и Samsung пока еще не озвучили планы и сроки коммерциализации их новой разработки. Но можно предположить, что этот процесс не будет затянут надолго, ведь в мире есть и другие компании, пытающиеся перешагнуть 1-нанометровый технологический барьер. К примеру, еще в июле этого года представители Intel объявили о намерении разработки и создания первых чипов масштаба ангстрема к 2024 году. И достигнуть этого рубежа они собираются при помощи новой архитектуры вычислительного узла под названием "Intel 20A" и транзисторов RibbonFET.