Распространение смартфонов и планшетных компьютеров, использующих для подключения к Интернету интенсивно различные протоколы беспроводной радиосвязи, обеспечивает кардинальное увеличение нагрузки на существующие беспроводные сети, а увеличение пропускной способности канала требует экспоненциального расширения полосы используемого этим каналом радиочастот.
Исследовательская группа из Института молекулярных наук (Institute for Molecular Science) японского Национального института естественных наук (National Institutes of Natural Sciences), возглавляемая профессором Хироши М. Ямамото (Prof. Hiroshi M. Yamamoto), разработала новый тип полевого транзистора, работающего за счет эффекта сверхпроводимости и который может быть включен или выключен при помощи освещения некоторых элементов его структуры.
Исследователи из Университетского колледжа в Лондоне разработали и продемонстрировали работоспособность новой технологии обработки оптических сигналов, посредством которых по оптоволоконным линиям передаются потоки информации.
Используя знания в области теории построения антенн, накопленные человечеством более чем за 120 лет использования радиоволн, исследователи из Национальной лаборатории имени Лоуренса в Беркли (Lawrence Berkeley National Laboratory) изготовили опытный образец оптической антенны, использование которой позволяет увеличить интенсивность света от наноразмерного светодиодного источника более чем в 115 раз.
Реализация голографических дисплеев с высокой разрешающей способностью, позволяющие создавать высококачественные объемные трехмерные изображения, "парящие" в открытом пространстве, стала еще на один шаг ближе, благодаря работе исследователей из университета имени Бригама Янга (Brigham Young University, BYU) и Массачусетского технологического института (Massachusetts Institute of Technology, MIT).
Силицен, форма кремния, кристаллическая решетка которого имеет одноатомную толщину, существовал в виде математических компьютерных моделей еще за десятилетие до того, как в 2004 году были получены первые образцы графена. К сожалению, судьба силицена, как и многих других открытий, сделанных раньше своего времени, оказалась менее завидной, нежели судьба графена.
Исследователи из бельгийского научно-исследовательского центра Holst Centre, Центра микро- и наноэлектроники IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre), компаний Evonik и iXsenic разработали первый в мире 8-битный микропроцессор общего назначения на основе комплементарных тонкопленочных транзисторов (complementary thin-film transistor, TFT), изготовленных при температурах до 250 градусов Цельсия, которые не нарушают целостность подложки из специального пластика.
