Исследователи из японского Института физико-химических исследований RIKEN разрабатывают технологию превращения кремниевых полевых транзисторов (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) в квантовые биты, кубиты, которые могут быть без особых проблем интегрированы в структуру традиционных полупроводниковых чипов.
Нитрид галлия (GaN), полупроводниковый материал, обычно используемый для производства светодиодов, полупроводниковых лазеров и силовых приборов, может стать основой для электроники следующего поколения, предназначенной для использования в космической технике.
Для того, чтобы компьютеры следующего поколения могли эффективно справляться с "перемалыванием" чисел из наборов "Больших Данных" потребуется много чего, помимо увеличения объемов жестких дисков. Даже кардинальное увеличение вычислительной мощности вычислительных систем не сможет увеличить эффективность их работы, если эти системы не будут обладать возможностью считывать и записывать данные с должной скоростью.
Инженеры из Дартмута разработали и изготовили опытные образцы сенсоров, в которых заложена радикально новая технология формирования изображений, получившая название "квантовый фотосенсор" (Quanta Image Sensor, QIS).
Исследователи из университета Северной Каролины разработали новую технологию прямой печати металлом, идеально подходящей для изготовления электронных схем, способных растягиваться, сжиматься и обладающих функциями самовосстановления.
Некоторые из наших читателей наверняка помнят первые микросхемы перезаписываемой памяти, информация в которых стиралась ультрафиолетовым светом, освещающим чип через специальное окошко в корпусе. Нечто подобное, только на гораздо более современном уровне, удалось сделать исследователям из Фуданьского университета и Института микроэлектроники китайской Академии наук.
Практически во всех современных цифровых чипах используются транзисторы, отличительной чертой которых является вертикальное кремниевое "ребро", являющееся каналом, через который течет ток во включенном состоянии транзистора.
Исследователи из японского Института физико-химических исследований RIKEN разрабатывают технологию превращения кремниевых полевых транзисторов (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) в квантовые биты, кубиты, которые могут быть без особых проблем интегрированы в структуру традиционных полупроводниковых чипов.
Нитрид галлия (GaN), полупроводниковый материал, обычно используемый для производства светодиодов, полупроводниковых лазеров и силовых приборов, может стать основой для электроники следующего поколения, предназначенной для использования в космической технике.
Для того, чтобы компьютеры следующего поколения могли эффективно справляться с "перемалыванием" чисел из наборов "Больших Данных" потребуется много чего, помимо увеличения объемов жестких дисков. Даже кардинальное увеличение вычислительной мощности вычислительных систем не сможет увеличить эффективность их работы, если эти системы не будут обладать возможностью считывать и записывать данные с должной скоростью.
Исследователи из университета Северной Каролины разработали новую технологию прямой печати металлом, идеально подходящей для изготовления электронных схем, способных растягиваться, сжиматься и обладающих функциями самовосстановления.
Некоторые из наших читателей наверняка помнят первые микросхемы перезаписываемой памяти, информация в которых стиралась ультрафиолетовым светом, освещающим чип через специальное окошко в корпусе. Нечто подобное, только на гораздо более современном уровне, удалось сделать исследователям из Фуданьского университета и Института микроэлектроники китайской Академии наук.
Практически во всех современных цифровых чипах используются транзисторы, отличительной чертой которых является вертикальное кремниевое "ребро", являющееся каналом, через который течет ток во включенном состоянии транзистора.
