ГЛАВНАЯ » 2010»Декабрь»27 » Создан первый в мире наноэлектромеханический переключатель
23:30
Создан первый в мире наноэлектромеханический переключатель
27.12.2010 год.
Японским исследователям удалось создать групповую технологию
подвешенных структур (кантилеверов и мостов) монокристалла алмаза для
нано- и микроэлектромеханических систем.
Основываясь на этом процессе, доктор Мейонг Ляо (Meiyong Liao),
старший научный сотрудник Центра сенсорных материалов Национального
института материаловедения Японии, и его коллеги получили первый в мире
монокристаллический алмазный наноэлектромеханический переключатель.
НЭМС-переключатель выигрывает в сравнении с обычными
полупроводниковыми приборами, так как имеет низкую потерю тока, малое
энергопотребление и четко различимые состояния "включено/выключено".
Большинство существующих НЭМС/МЭМС-переключателей базируются на кремнии
или металлических материалах, имеющих существенные недостатки - слабую
механическую, химическую и термическую устойчивость, низкую надежность и
износостойкость.
Алмаз является идеальным материалом для нано- и
микроэлектромеханических систем, так как имеет высочайший модуль
упругости, механическую твердость, теплопроводность и переменную
электропроводность от изолятора до проводника. Однако в связи со
сложностью изготовления подвешенных структур монокристалла алмаза,
разработка монокрасталличекских алмазных НЭМС- и МЭМС-устройств остается
проблематичной.
Исследователи Национального института материаловедения Японии
разработали процесс изготовления подвешенных монокристаллических
алмазных структур путем локального формирования временного слоя графита в
основе монокристалла алмаза с помощью имплантации высокоэнергетических
ионов, за которой следует рост алмазного поверхностного слоя методом
химического парофазного осаждения, активированного микроволновой плазмой
(MPCVD), и удаление временного слоя графита. В ходе дальнейшего
совершенствования технологии, группе удалось изготовить первое в мире
переключающееся устройство с транзистороподобной структурой, включающей
три электрода.
Ток утечки разработанного алмазного НЭМС-переключателя очень низок,
расход энергии составляет менее 10 пиковатт. Устройства демонстрируют
высокую воспроизводимость, надежность и отсутствие поверхностного
трения. Подтвердилась стабильная работа алмазного НЭМС-переключателя при
высокой температуре окружающей среды (250°C). Был измерен модуль Юнга
подвижной консольной конструкции, который составил 1100 гигапаскалей,
что близко к показателям внутренней структуры алмазных монокристаллов.
Таким образом, в недалеком будущем можно ожидать появление
высокоскоростных (гигагерцовых) коммутационных операций.
По сравнению с существующими МЭМС-переключателями, ожидается, что
алмазные НЭМС-переключатели станут более совершенными, в том числе в
части надежности, долговечности, скорости и пропускной способности
электрической сети. Разработанные устройства могут использоваться как
СВЧ-переключатели для беспроводных сетей нового поколения и логических
схем, работающих в суровых климатических условиях. В результате
проведенных исследований была создана более функциональная
инфраструктура для алмазных нано- и микроэлектромеханических систем,
открывающая дорогу новым химическим, физическим и механическим сенсорам.