15.10.2010 Учёные из Южной Кореи и США представили простой в изготовлении и
надёжный элемент энергонезависимой резистивной памяти, который можно
располагать на гибкой подложке.В будущем резистивная память, как ожидается, станет серьёзным
конкурентом традиционных «зарядовых» устройств — к примеру, DRAM или
флеш-памяти. Элементы с требуемыми свойствами уже конструировали на базе
халькогенидов, аморфного кремния, оксидов переходных металлов (NiO, TiO2, ZnO), наночастиц Fe3O4
и некоторых других материалов. Большую известность приобрели
мемристоры, созданные в 2008 году специалистами НР с использованием
диоксида
... Читать дальше »
