28.06.2011 год.

Научная новизна в том, что им удалось объединить кремниевые и III-V-полупроводниковые элементы при температуре порядка 400 ОС.

Группе молодых учёных из университета Беркли (ш.Калифорния) под руководством профессора C. Chang-Hasnain удалось вырастить нити индий-галлий-арсенида (InGaAs) на кремниевой подложке и при довольно умеренной температуре – порядка 400 ОС.

Учёные давно пытаются объединить кремний и III-V-полупроводники на единой оптоэлектронной микросхеме.

В конечном итоге это бы позволило активно использовать фотоны в качестве переносчика информации вместо электрических сигналов.

Кремний, как основа современных микросхем, неэффективен в качестве генератора фотонного излучения.

Поэтому учёные обратили внимание на полупроводники, состоящие из элементов III и V групп Периодической таблицы – алюминия, бора, галлия, индия, и т.д., которые показывают лучшие результаты при создании лазеров.

Мало придумать новую технологию изготовления лазеров, важно суметь адаптировать её к существующим производствам, минимизировав затраты на техническое перевооружение.

«Создание взаимоприемлемого решения – это основной вопрос», говорит C. Chang-Hasnain, -

Проблема была в том, что производство III-V-полупроводниковых компонентов требует температур около 700 ОС, а кремниевая электроника такую температуру просто не выдерживает».

Секрет успеха группы C. Chang-Hasnain, добившейся снижения температурного режима до 400 ОС, в использовании нанотехнологий.

Полученные в результате экспериментов нанонити, показали способность генерировать излучение в ближней ИК-области спектра (950 нм) уже при комнатной температуре.

Причём образованные нанонитями структуры с гексагональной симметрией являются отличным оптическим резонатором, усиливающим излучение фотонов.