Инженеры
Массачусетского технологического института научились создавать лишенные
дефектов пленочные нанокристаллы и собирать из них сложные структуры.
Работа опубликована в журнале Nano Letters, а ее краткое содержание
можно прочитать на сайте института.
Достичь
небывалой точности изготовления пленок полупроводников инженерам
удалось, немного изменив процесс их производства. Между кремниевой
основой и пленками нанокристаллов ученые помещали тонкий слой полимера,
который помогал двум поверхностям плотно прилегать друг к другу. Сами
нанокристаллы при этом "вырезали" при помощи электронного луча.
Созданная
авторами технология позволяет собирать из нанокристаллов сложные
структуры, причем ошибка при позиционировании их элементов не превышает
30 нанометров. В качестве иллюстрации возможностей метода авторы создали
логотип института "MIT", выложенный пленками. В отличие от традиционных
методов изготовления, созданные авторами кристаллы не имели дефектов.
Поэтому, их проводимость была в 180 раз больше, чем у кристаллов,
имеющих изъяны и трещины.Нанокристаллами
называют крошечные полупроводники, электронно-оптические свойства
которых зависят от размеров. В этом они очень близки квантовым точкам,
которые, в отличие от пленок, существуют не на поверхности, а в
растворе. Управляя размерами нанокристаллов (и квантовых точек), можно
изменять спектр поглощаемого и испускаемого ими света. Чем точнее
процесс изготовления, тем лучше можно контролировать электронные
свойства пленок и частиц. В будущем нанокристаллы могут стать основой
создания новых солнечных панелей, светочувствительных матриц и цветных
дисплеев.
Недавно
другая группа инженеров применила квантовые точки для изготовления
источника одиночных фотонов. Это устройство понадобилось ученым для
создания защищенного канала квантовой связи
Инженеры
Массачусетского технологического института научились создавать лишенные
дефектов пленочные нанокристаллы и собирать из них сложные структуры.
Работа опубликована в журнале Nano Letters, а ее краткое содержание
можно прочитать на сайте института.
