1. Поскольку в ИС возможной замены
отсутствует внутренний источник опорного напряжения, то необходимо между
выводом питания (1) и корпусом (вывод 6) установить стабилитрон с напряжением
стабилизации 3 - 4 В (КС133Г, КС139А(Г) и т. п.).
2. Вывод 2 отключить от всех цепей
схемы.
-аменяемая микросхема
Возможная замена
Необходимые изменения в схеме при
замене
FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10
3. Изменить параметры частотозадающей
цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора,
подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза.
CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14
4. Микросхемы возможной замены имеют
16 выводов и в целом, если считать от первого вывода их цоколёвка совпадает
с цоколёвкой заменяемых микросхем. Для замены необходимо установить микросхему
таким образом, чтобы первый вывод ИС совпадал с контактной площадкой первого
вывода выпаянной ИС. 5. Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить
от корпусной шины и соединить перемычкой с контактной площадкой вывода
9.
Выполнить пункт 4. 6. Контактную
площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить
с плюсом питания микросхемы (вывод 1). 7. Выпаять резистор, подключенный
к контактной площадке 7 и конденсатор, подключенный к контактной площадке
8. 8. От контактных площадок 7 и 8 на место выпаянных резистора и конденсатора
установить конденсаторы ёмкостью по 100 пФ каждый. Противоположные выводы
конденсаторов соединить с корпусной шиной (вывод 6). Между выводами 7
и 8 установить дроссель индуктивностью 1,7 мГн. Вместо дросселя можно
использовать кварц частотой 480 кГц.
Микросхемы заменяются без каких-либо
изменений в схеме. После замены не будет, выполняться функция звукового
подтверждения нажатия кнопок набора номера, которая в микросхемах возможной
замены отсутствует.
9. Изменить параметры частотозадающей
цепи встроенного генератора путём уменьшения сопротивления резистора,
подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза.
10. -аменяемые микросхемы имеют
16 выводов, но обычно на платах ТА, где они установлены, предусмотрены
дополнительные контактные площадки для ИС с 18 выводами. Снимите перемычки
между контактными площадками 9 и 11 на плате ТА и установите перемычки
с контактных площадок 10 и 11 на корпусную шину (вывод 6).
11. Удалить резисторы, подключенные
к выводам 7 и 9, и конденсатор,. подключенный к выводу 8. Вывод 9 соединить
с плюсом питания ИС (вывод 1). Выполнить пункт 8.
12. Отсоединить контактную площадку
вывода 9 заменяемой микросхемы от плюса питания ИС. 13. Удалить конденсаторы
и дроссель, подключенные к контактным площадкам 7 и 8. С вывода 7 на место
конденсатора установить резистор сопротивлением 2 МОм. С вывода 8 на место
второго конденсатора установить конденсатор ёмкостью 390 пф. 14. От вывода
9 микросхемы возможной замены к общей точке предыдущих элементов установить
резистор сопротивлением 240 кОм.
15. Общую точку этих трёх элементов
отсоединить от корпусной шины.
-аменяемые микросхемы имеют 16
выводов, но обычно на платах ТА, где они установлены, предусмотрены дополнительные
контактные площадки для ИС с 18 выводами. 16. Отсоединить контактную
площадку 11 (вывод 9 заменяемой микросхемы) от плюса питания ИС. Контактные
площадки 10 и 11 соединить с корпусной шиной микросхемы (вывод 6). Выполнить
пункты 13, 14 и 15.
FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10
Выполнить пункты 16 и 13.
17. От вывода 9 микросхемы возможной
замены к общей точке предыдущих элементов установить резистор сопротивлением
430 кОм. Выполнить пункт 15.
KS5805B LR40993 МК50993 Т40993
Выполнить пункты 16, 13, 14 и
15.
KS5853
НМ9100В
18. Изменить параметры частотозадающей
цепи встроенного генератора путём уменьшения сопротивления резистора,
подключенного к выводу 8 микросхемы в два раза.
НМ9100В
KS5853
19. Изменить параметры частотозадающей
цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора,
подключенного к выводу 8 микросхемы в два раза.
22. Изменить параметры частотозадающей
цепи генератора ИС путём увеличения сопротивления резистора, подключенного
к выводу 9 в три раза. Вывод 15 отсоединить от других цепей схемы и соединить
с корпусной шиной (вывод 17). Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы
и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 15. При замене
микросхемы КР1008ВЖ1 на КР1008ВЖ5, КР1064ВЖ5 и КР1089ВЖ1 Ваш телефон будет,
обладать дополнительной памятью на 10 номеров.
23. Изменить параметры частотозадающей
цепи генератора ИС путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного
к выводу 9 в три раза. Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и соединить
с плюсом питания (вывод 3). Вывод 16 отсоединить от других цепей схемы
и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 6. При замене ИС
КР1008ВЖ5, КР1064ВЖ5 и КР1089ВЖ1 на КР1008ВЖ1 Ваш телефон потеряет дополнительные
сервисные возможности и будет сохранять только последний набранный номер.
КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ2
КР1008ВЖ6 КР1064ВЖ6 КР1089ВЖ1
Микросхемы заменяются без каких-либо
изменений в схеме. После замены. Ваш телефон будет обладать дополнительной
памятью на 10 номеров.
КР1008ВЖ5 КР1084ВЖ5 КР1089ВЖ1
КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ2
Микросхемы заменяются без каких-либо
изменений в схеме. После замены Ваш телефон потеряет дополнительные сервисные
возможности и будет сохранять только последний набранный номер.
25. Изменить параметры частотозадающей
цепи генератора ИС путём замены кварцевого резонатора, подключенного к
выводам 8 и 9, на частоту 3,58 МГц.
Но что же делать, если
Вам так и не удалось найти подходящую микросхему номеронабирателя для замены?
В этом случае Вам поможет
универсальная схема, при помощи которой Вы сможете заменить большинство зарубежных
ИС ЭНН.
Наибольшее распространение
получили ИС ЭНН КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7. Эти микросхемы выпускаются
уже около 10 лет и наиболее доступны. Поэтому рассмотрим возможность замены
большинства зарубежных ИС ЭНН именно этими микросхемами.
- выводы для подключения
времязадающих элементов генератора;
- выход импульсного ключа
(NSI);
- выход разговорного ключа
(NSA).
Различные ИС ЭНН отличаются
только логикой работы выходов ИК (NSI) и РК (NSA) и параметрами времязадающих
элементов генератора (здесь мы не рассматриваем многофункциональные ИС для телефонов
высокого класса). Функционирование по остальным выводам у всех ИС ЭНН одинаково.
Во многих зарубежных телефонах выход разговорного ключа микросхемы не задействован.
Поэтому если при помощи внешних элементов привести в соответствие выход импульсного
ключа микросхемы, то можно заменить неисправную микросхему, подключив соответствующие
выводы к контактным площадкам выпаянной микросхемы.
Если сравнивать
временные диаграммы выходов разговорного ключа (NSA) (рис. 2.19 - 2.21) ИС ЭНН
КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ6 и КР1008ВЖ7 с другими ИС ЭНН, то нетрудно заметить, что
до набора и после набора номера у всех микросхем (кроме CIC9102E, CIC9104E,
FT9151-3, UM9151, UM9151-3, WE9102, WE9104 и КР1008ВЖ17) "высокий"
уровень. Во время прохождения импульсов набора - "низкий".
Следовательно, логика работы выходов разговорного ключа у этих микросхем одинакова.
У выходов импульсного ключа (NSI) до набора и после набора номера у микросхем
КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 - "низкий" уровень, а у остальных
микросхем - "высокий". Это отличие обусловлено тем, что микросхемы
КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и
КР1008ВЖ7 предназначены
для работы только совместно с разговорным ключом. "Низкий"
уровень удерживает ИК ТА в закрытом состоянии и он не может использоваться для
коммутации разговорного узла, как в схеме на рис. 1.15. Импульсы набора все
микросхемы номеронабирателей формируют "низкого" уровня, т.
е. "низкий" уровень выхода микросхемы во время набора номера
размыкает линию, а "высокий" - замыкает.
Для замены импортной ИС
на КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 или КР1008ВЖ7 необходимо при помощи дополнительных элементов
привести в соответствие временные параметры сигналов, формируемых на выходах
ИК и РК, заменяемой и заменяющей микросхем. Кроме того, в зависимости от типа
выхода ИК (логический или с открытым стоком) заменяемой микросхемы необходимо
обеспечить его согласование со входом импульсного ключа ТА.
Временные
параметры приводятся в соответствие посредством двух диодов, включаемых с выходов
ИК (NSI) и РК (NSA2) микросхемы КР1008ВЖ1 по схеме "ИЛИ", как показано
на рис. 6.2. В результате, на выходе (в точке соединения диодов VD1 и
VD2), формируется сигнал с временными параметрами, соответствующими параметрам
выходных сигналов ИК импортных микросхем.
Эту схему можно применять
для замены микросхем номеронабирателя с логическим выходом импульсного ключа,
так как в точке соединения диодов VD1 и VD2 формируется сигнал с уровнем, соответствующим
логическому выходу ИС КР1008ВЖ1. В схеме, при необходимости, можно задействовать
выход разговорного ключа (NSA) (вывод 18).
Аналогичная схема на ИС
КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 приведена на рис. 6.3.
На рис. 6.4 приведена схема
замены импортной ИС с открытым стоком выхода ИК. Диоды VD1 и VD2 формируют соответствующую
импульсную последовательность, а транзисторы VT1 и VT2, образуя выход с открытым
коллектором, моделируют выход ИК ИС с открытым стоком.
Выводы микросхемы Х0, X1,
Х2, Y0, Yl, Y2. Y3, 0V, U, HS и NSI подключаются на соответствующие контактные
площадки заменяемой ИС. Вывод SB подключается к выводу микропереключателя со
стороны транзисторов импульсного ключа (точка КТ1 на рис. 6.1).
Для замены импортной микросхемы
на отечественную КР1008ВЖ1 можно изготовить переходную плату, разместив на ней
необходимые дополнительные элементы. На рис. 6.5 показав чертеж переходной платы
для схемы, приведенной на рис. 6.4. Форма и размеры переходной платы выбраны
с учётом размещения её в телефон-трубке между основной платой и динамической
головкой.
Контактные площадки переходной
платы (в рамке на рис. 6.5) и-контактные площадки заменяемой ИС на основной
плате телефона соединяются между
собой жгутом из тонких
проводов. Схемы соединения контактных площадок переходной платы с контактными
площадками основной платы, из которой выпаяна ИС ЭНН, для различных типов ИС
различны и приведены в таблице 6.3. В ячейках таблицы показаны номера выводов
контактных площадок заменяемой микросхемы на основной плате телефона. Расположение
самих ячеек соответствует расположению контактных площадок на переходной плате.
Например, для микросхемы KS5805A
контактную площадку Y0,
которая расположена рядом с выводом 22 ИС КР1008ВЖ1, необходимо соединить с
контактной площадкой от вывода 16 микросхемы KS5805A на основной плате.
Для того чтобы в телефоне
работал повтор последнего набранного номера, необходимо внести изменения на
плате наборного поля. Нужно разорвать дорожку, которая идет от контактной площадки
Х2 к кнопке "#", и соединить разорванный конец дорожки от этой
кнопки к контактной площадке Х0. В телефонах-трубках, если принять контактную
площадку, расположенную ближе к динамической головке за первую, то контактная
площадка Х0 - третья, а Х2 - седьмая.
Если все соединения
сделаны правильно, а номер не набирается, следует проверить напряжение на стабилитроне
переходной платы. При пониженном его значении (менее 2,0 В) необходимо увеличить
ток через стабилитрон при помощи резистора в цепи питания микросхемы (раздел
3.3). При замене микросхем CIC9102E, CIC9104E, KS5805B, LR40993, МК50993, Т40983,
UM9151, UM9151-3, WE9102 и WE9104 стабилитрон VD1 может не понадобится, так
как он должен иметься на основной плате телефона.
Второй вариант замены ИС
ЭНН с логическим выходом ИК показан на рис. 6.6. В этом случае необходимо добавить
ключ на полевом n-канальном транзисторе с индуцированным каналом и изолированным
затвором КР1014КТ1А,(В), подключив его параллельно выходу диодного моста. Особенность
схемы состоит в том, что импульсный ключ ТА используется как разговорный ключ,
а набор номера осуществляется токовым ключом на КР1014КТ1А,(В). Если в ТА присутствует
разговорный ключ, то вывод 18 ИС КР1008ВЖ5,(7) необходимо подключить на него,
а импульсный ключ ТА отключить (вместо него будет работать токовый ключ на КР1014КТ1А,(В).
Импульсы,
управляющие работой ключа, подаются на затвор токового ключа с выхода ИК ИС
и полностью соответствуют требованиям технических условий для отечественных
телефонных сетей, так как ИС КР1014КТ1А,(В) в режиме насыщения имеет сопротивление
менее 50 Ом.
Уважаймый гость для того чтобы скачать файл Замена микросхемы номеронабирателя, надо пройти регистрацию или войти под своим логином
