КОММЕНТАРИИ НОВОСТЕЙ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ

САЙТ ХАРЬКОВСКИХ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ

НОВОСТИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

ВСЕХ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ ПРИВЕТСТВУЕМ НА НАШЕМ САЙТЕ: "САЙТ ХАРЬКОВСКИХ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ!!!"

Объявления размещайте строго по радиотематике!
Администратор:Александр Валентинович. Вопросы по сайту на E-mail:vokub@mail.ru
Комментарии объявления могут оставлять только зарегистрированные пользователи!!!
Адреса своих интернет ресурсов пожалуйста не размещайте-все будет удаляться!
Для нарушителей доступ на сайт будет закрыт!!!

Меню сайта
Категории раздела
Мои статьи [715]Книги [0]
Мини-чат
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Неплохо
4. Плохо
5. Ужасно
Всего ответов: 289
Статистика

Онлайн всего: 2
Гостей: 2
Пользователей: 0
Форма входа


ПОИСК ПО ПОЗЫВНОМУ

НАШ БАННЕР

Главная » Статьи » Мои статьи

Ученые компаний IBM и Samsung разрабатывают новую память типа STT-MRAM, которая в будущем может стать заменой флэш-памяти
Созданный ими опытный образец чипа STT-MRAM, емкостью 4 килобита, продемонстрировал время записи информации на уровне 10 наносекунд, при этом потребление тока одной ячейкой составило всего 7.5 микроампера. На кристалле опытного чипа были в целях эксперимента созданы STT-MRAM ячейки различных размеров, от 50 до 11 нанометров, но все они продемонстрировали схожие характеристики.

"Используя уникальные материала и вещества, мы добились работы ячеек STT-MRAM памяти с уровнем ошибок 7*10^-10 при записи информации. Время переключения составляет всего 10 наносекунд, потребляемый ток - 7.5 микроампер, а суммарная энергия - 100 фемтоджоулей" - пишут исследователи, - "Таких показателей невозможно добиться при использовании обычных ячеек магнитной памяти. Но, для того, чтобы поставить память нового типа на промышленные рельсы, нам предстоит проделать немало работы и провести множество дополнительных исследований. Но вы твердо уверены в том, что обязательно придет время, когда память Spin Torque MRAM станет заменой традиционной флэш-памяти".

Согласно имеющейся информации память STT-MRAM минимум в 100 тысяч раз быстрее традиционной флэш-памяти. Кроме этого, она имеет еще несколько значительных преимуществ, главным из которых является то, что информация, записанная в STT-MRAM ячейках, никогда не сотрется, не исказится и не потеряется. Вторым преимуществом является то, что данный тип памяти потребляет энергию только в моменты записи или считывания информации, в моменты, когда память неактивна, чип памяти не потребляет энергию вообще.

Столь очевидные преимущества STT-MRAM памяти перед другими типами памяти, которые являются кандидатами на замену традиционным типам, делают ее предметом повышенного интереса со стороны ведущих производителей компьютерной памяти. А то, что разработкой занялись такие гиганты, как IBM и Samsung, вселяет уверенность в том, что разработка будет доведена до логического конца.

Память STT-MRAM может использоваться в качестве универсальной памяти в устройствах с низким энергопотреблением, к примеру, устройствах из разряда "Интернета вещей" и в мобильных устройствах. К сожалению, не стоит рассчитывать, что память STT-MRAM придет на смену флэш-памяти в самое ближайшее время. Как уже было сказано выше, ученым потребуется еще некоторое время на доведение технологии до уровня крупномасштабного промышленного производства.
Категория: Мои статьи | Добавил: Alex (21 Июл 2016)
Просмотров: 17 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Поиск

Архив записей

Друзья сайта
  • Все для веб-мастера
  • Программы для всех
  • Мир развлечений
  • Лучшие сайты Рунета
  • Кулинарные рецепты





  • Рейтинг@Mail.ru Яндекс цитирования.