Новое семейство IGBT-транзисторов ломает скоростные ограничения при различных топологиях.
Новое семейство IGBT-транзисторов ломает скоростные ограничения при различных топологиях.
Изготовленное с учетом требований заказчиков новое семейство IGBT-транзисторов HighSpeed3 с максимальным напряжением 1200 В предназначено для высокочастотных приложений с топологией как жесткого так и мягкого переключения, требуемых в оптимизированных силовых ключах.
Так как рассеиваемая мощность и эффективность являются ключевыми параметрами в обеих топологиях, оптимизация IGBT является решающим способом достижения требуемых параметров. Данные транзисторы отлично подходит для применений, где требуется частота переключений выше 20 кГц. При таких скоростях потери на проводимость незначительны, и величина «токового хвоста» (когда транзистор уже закрыт по входу, но рабочий ток все еще протекает) очень мала. Все это явилось результатом многогранной оптимизации потерь при переключениях.
Исполнение, в котором эмиттерный диод четвертого поколения интегрирован с быстрым IGBT-транзистором, обеспечивает наивысшую надежность, функциональность и оптимальный баланс между потерями проводимости и переключения.
Новое семейство 1200-вольтовых IGBT оптимизировано для работы в составе высокочастотных преобразователей солнечной энергии, бесперебойных источников питания и сварочных аппаратов, предлагая наивысшие энергетические характеристики и производительность. Сравнительная диаграмма IGBT-транзисторов семейства HighSpeed3 и двух основных конкурентов при 150°С
15
60
217
105
2.05
2.7
IGW15N120H3
Да
25
75
326
156
2.05
2.7
IGW25N120H3
Да
40
160
483
220
2.05
2.7
IGW40N120H3
Да
15
60
217
105
2.05
2.7
IKW15N120H3
Да
25
75
326
156
2.05
2.7
IKW25N120H3
Да
40
160
483
220
2.05
2.7
IGW40N120H3
Да
Отличительные особенности
* Компактная схема и минимальные размеры радиатора * Оптимизированный диод снижает рассеяние мощности, когда не требуется реактивная мощность * Интеллектуальный режим переключения
