САЙТ ХАРЬКОВСКИХ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ

НОВОСТИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ


Меню сайта
Категории раздела
Мои статьи [816]Книги [0]
Мини-чат
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Неплохо
4. Плохо
5. Ужасно
Всего ответов: 293

C Днём Рождения Поздравляем!!!

стрелец(58), vl_vic11(61), Valerchik(41), strelez2(50), UR6LHX(41), rwojw(67), san9(61)
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Форма входа


ПОИСК ПО ПОЗЫВНОМУ

НАШ БАННЕР

ГЛАВНАЯ » Статьи » Мои статьи

Новая 5-нм технология компании IBM позволит упаковать 30 миллиардов транзисторов на чип, размером с ноготь
Но специалисты компании IBM уже подготовила новую технологию, которая позволит сократить вышеупомянутые размеры в два раза, до 5 нанометров. Пожертвовав в пользу новой технологии перспективной архитектурой под названием FinFET, специалисты компании разработали стековую структуру, состоящую из четырех наложенных друг на друга нано-листов. Согласно расчетам, новая структура транзисторов позволит упаковать их в количестве 30 миллиардов на кристалле чипа, размером с монетку малого достоинства, кроме этого, новая структура обещает высокий прирост производительности чипов и их эффективности.

Данная технология является дальнейшей модернизацией 7-нм технологии, разработанной компанией IBM в 2015 году, совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung. Опытные образцы таких чипов насчитывали около 20 миллиардов транзисторов на кристалле, а достигнуто это было благодаря внедрению новых материалов и производственных технологий. Ожидается, что чипы, построенные на основе 7-нм технологии, появятся на рынке приблизительно в 2019 году.

Сокращение размеров транзистора до 5 нм позволит упаковать на кристалл чипа дополнительные 10 миллиардов транзисторов. В принципе, можно было сократить до 5 нм и размеры стандартных транзисторов, но такое сокращение стало бы технологическим пределом используемых технологий. Поэтому, имея в виду более долгосрочные перспективы, специалисты компании IBM предпочли разработать совершенно новую архитектуру построения чипов.
Как уже упоминалось выше, 5-нм чипы изготавливаются путем наложения друг на друга нескольких слоев кремниевых нано-листов. Это позволяет подать управляющий сигнал сразу на четыре отдельных затвора транзистора, в то время, как у транзисторов FinFET имелось три независимых затвора и три канала. 5-нм транзисторы изготавливаются при помощи технологии ультрафиолетовой литографии (Extreme Ultraviolet Lithography, EUVL), который позволяет "рисовать" образы на подложке при помощи более коротковолнового и высокоэнергетического излучения, нежели другие методы. Это, в свою очередь, означает, что при помощи такого метода можно создавать более маленькие элементы чипов с более высоким качеством. При этом, новая технология EUVL позволяет осуществлять непрерывную адаптационную регулировку прямо в процессе производства.

По сравнению с 10-нм чипами, 5-нм чипы будут обладать в 40 раз большей производительностью, а количество потребляемой ими энергии снизится на 75 процентов при выполнении процессором специально оптимизированных для него задач. Согласно имеющимся прогнозам, первые коммерческие 5-нм чипы могут появиться на рынке не ранее чем через 4-5 лет.
Категория: Мои статьи | Добавил: Alex (08 Июн 2017)
Просмотров: 119 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ РЕГИСТРАЦИЯ | ВХОД ]
"В каждом разделе"
Свой поиск!
ПОИСК

Архив записей

Друзья сайта
  • Все для веб-мастера
  • Программы для всех
  • Мир развлечений
  • Лучшие сайты Рунета
  • Кулинарные рецепты

  • Рейтинг@Mail.ru Яндекс цитирования