Компания Samsung начинает выпуск чипов на базе 10-нм технологии FinFET второго поколения
Чипы, изготовленные по технологии 10LPP демонстрируют на 10 процентов большую производительность или на 15 процентов меньшее потребление энергии, нежели чипы, изготовленные на основе 10-нм FinFET-технологии первого поколения 10LPE (Low Power Early).
Поскольку технологический процесс 10LPP построен на базе уже проверенной временем технологии 10LPE, это значительно сократило время выполнения работ от разработки технологического процесса до начала массового производства чипов, обеспечив, помимо этого, гораздо меньший процент производственного брака на первых этапах производства.
Системы-на-чипе, изготовленные на основе техпроцесса 10LPP, будут использоваться в различных цифровых устройствах, выпуск которых может начаться уже в начале следующего года. А более широко доступными для конечных потребителей такие устройства станут ко второй половине или концу следующего года. Выпуск новых чипов начат на новейшей производственной линии компании Samsung S3, расположенной на заводе компании в Хвасоне, Корея. И запасов мощности этой линии будет вполне достаточно для удовлетворения спроса на новые чипы даже в случае его резкого увеличения.
