Компании Nantero и Fujitsu готовятся к началу производства энергонезависимой памяти NRAM на основе углеродных нанотрубок
Дальнейшие работы в данном направлении должны привести к разработке линейки коммерческих продуктов, микросхем памяти, изготовленных сначала по 55-нм технологическому процессу, первые экземпляры которых должны появиться на свет уже в 2018 году.
Благодаря применению углеродных нанотрубок память NRAM обладает поистине выдающимися характеристиками. Она обладает быстродействием, сопоставимым с быстродействием динамической памяти DRAM, что в тысячу раз быстрее традиционной NAND Flash-памяти. О высокой надежности NRAM-памяти говорит то, что она обеспечивает сохранность данных на протяжении 1000 лет при температуре окружающей среды не выше 85 градусов Цельсия, а при температуре до 300 градусов Цельсия срок хранения данных снижается до 10 лет. Рабочее напряжение ячеек NRAM-памяти составляет 1 Вольт, а количество циклов перезаписи измеряется сотнями миллиардов. Новая память производится по стандартной CMOS-технологии и в перспективе размер каждой ячейки может быть уменьшен до 5 нанометров. Структура ячеек NRAM-памяти достаточно проста, она допускает как традиционное расположение ячеек в одной плоскости, так и их расположение в нескольких плоскостях (слоях), что позволит добиться чрезвычайно высокого показателя плотности хранения информации.
Компания Fujitsu Semiconductor планирует разработать первые образцы микросхем NRAM-памяти к концу 2018 года. После этого начнется разработка целой линейки чипов новой памяти, которые уже и будут доступны на потребительском рынке как отдельный продукт. Компания же Mie Fujitsu Semiconductor, которая является производителем микросхем, предложит своим клиентам уже готовые решения, в том числе специализированные микропроцессоры и микроконтроллеры, в состав которых будут входить массивы NRAM-памяти. И в заключение следует отметить, что если компаниям Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor удастся успешно реализовать все вышеописанные задумки, то появление NRAM-памяти сможет произвести буквально революцию в компьютерной технике в течение следующих 20 лет. Столь высокие скоростные характеристики новой памяти и ее энергонезависимый характер позволят стереть грань между оперативной и постоянной памятью современных компьютеров. Компьютеры следующих поколений, в которых вся память будет быстродействующей и энергонезависимой, будут свободны от необходимости процесса загрузки операционной системы и прикладных программ, что позволит им начинать работу почти сразу же после их включения.
