САЙТ ХАРЬКОВСКИХ РАДИОЛЮБИТЕЛЕЙ

НОВОСТИ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ



Вы вошли как Гость | Группа "Гости"Приветствую Вас Гость | RSS

Меню сайта
Категории раздела
Мои статьи [956] Книги [0]
Мини-чат
Наш опрос
Оцените мой сайт
1. Отлично
2. Хорошо
3. Неплохо
4. Плохо
5. Ужасно
Всего ответов: 338
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

C Днём Рождения Поздравляем!!!

Краб(74), Бува(54), z205(71), Анчутик(44), Tune(30), roial(43), ew6nf(69), AlexBrutal(46), ladomirm(78), Aleks-AD(69), Серг(67)
Форма входа


НАШ БАННЕР

ГЛАВНАЯ » Статьи » Мои статьи

Созданы транзисторы, способные растягиваться в два раза без ощутимых потерь их проводимости и других параметров
При этом, такие транзисторы сохраняют практически неизменными их электрическую проводимость и прочие параметры, что позволит создать на их базе новый тип электронных устройств, закрепляемы непосредственно на поверхности кожи человека или на поверхности движущихся предметов.

Для изготовления гибкого и эластичного транзистора исследователи использовали полупроводниковый полимер DPP-TT, слой которого был нанесен на слой упругого полимера SEBS. Такая комбинация была выбрана из-за того, что оба этих полимера, в силу особенностей их структуры не перемешиваются даже за счет диффузии в месте их контакта.

На основание полимера SEBS через маску были нанесены участки полимера DPP-TT и в результате был получен эластичный тонкопленочный транзистор, толщиной в несколько десятков нанометров. Следует отметить, что в процессе изготовления таких транзисторов используется только специализированный принтер, а сам процесс производится без использования высоких температур, как при производстве обычных транзисторов на базе кремния.

Параметры эластичного транзистора проверялись при помощи специального механизма, способного растянуть пленку в разных направлениях с определенным усилием. В ходе этих проверок было установлено, что некоторые из образцов транзисторов смогли без ущерба их функциональности перенести двойное растяжение во всех направлениях. При этом, снижение проводимости транзистора колебалось в пределах от 0.59 до 0.55 см^2/В*с, а структура транзистора может выдержать изгиб полимерного основания более 100 раз. Для демонстрации возможностей применения новых транзисторов исследователи изготовили нечто вроде эластичного бинта с простенькой электронной схемой, который был обернут вокруг сустава одного из сотрудников, который носил все это в течение достаточно долгого времени.

Исследователи отмечают, что такой же технологический процесс может быть использован не только для производства транзисторов, при его помощи можно изготавливать целый ряд полупроводниковых приборов, из которых, в свою очередь, можно делать достаточно сложные электронные устройства. И сейчас разработанная учеными технология привлекла к себе внимание со стороны руководства института Samsung Electronics Institute of Technology, которое увидело во всем этом путь к созданию носимых электронных устройств следующего поколения.
Категория: Мои статьи | Добавил: Alex (17 Янв 2017)
Просмотров: 234 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ РЕГИСТРАЦИЯ | ВХОД ]
ПОИСК

Архив записей

Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • База знаний uCoz
  • Лучшие сайты рунета
  • Кулинарные рецепты

  • Рейтинг@Mail.ru

    Яндекс цитирования.