Существующие транзисторы используют полупроводниковый n-p переход,
причем материалы по разные стороны контакта представляют собой
легированные различными атомами полупроводники для создания необходимого
типа проводимости.Однако при уменьшении размера транзистора возникает проблема поддержания
высокого градиента концентраций допантов, который может уменьшаться за
счет диффузии в n-p- переходе. Это заставляет исследователей
полупроводниковых материалов искать альтернативные пути решения этой
проблемы, в частности, при помощи отказа от использования n-p переходов в
транзисторах. Возникает закономерный вопрос: как же это возможно?
Ученые из University of California разработали высокоскоростные транзисторы на основе графена. Устройства уже сейчас могут конкурировать с лучшими из доступных на рынке коммерческих транзисторов на основе кремния и в ближайшем будущем могут найти применение в высокочастотной электронике, например, в области микроволновых коммуникаций, высокочастотного отображения и радарных технологий.
В Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) получены светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка. Изготовлена партия тестовых образцов, обладающих термической устойчивостью и выдерживающих высокие токи. Разработан ряд технологических приемов, препятствующих деградации светодиодов и увеличивающих их ресурс в 5-10 раз.
