ГЛАВНАЯ » 2011 » Март » 4 » Новые ИК DirectFET ® Plus Power MOSFET
13:24
Новые ИК DirectFET ® Plus Power MOSFET
Новые ИК DirectFET ® Эль-Сегундо, штат Калифорния - International Rectifier, IR ® (NYSE:
МАФ), мировой лидер в технологии управления питанием, сегодня
представила семейство DirectFET ® плюс
МОП власти представлены новые поколения НП кремния, который
устанавливает новые стандарты эффективности для 12 вход синхронного
приложения Бак в том числе нового поколения серверов, настольных ПК и
ноутбуков.
Первые два DirectFET ® плюс
устройства в новой семье, IRF6811 и IRF6894, уменьшить в открытом
состоянии сопротивление (RDS (ON)), а заряд затвора (QG) по сравнению с
предыдущими устройствами поколения значительно улучшить эффективность до
2 процентов. Кроме
того, устройства предлагают ультра низким сопротивлением ворота (Rg)
возможность дальнейшего повышения эффективности путем сведения к
минимуму потерь при переключении в DC-DC преобразователей.
"Новых IRF6811 и IRF6894 чипсет использует DirectFET упаковки
ИК-технологию и особенности нового поколения кремния, который
оптимизирует ключевые параметры MOSFET предоставить лучшие в своем
классе решение, которое обеспечивает отличную производительность,
высокую надежность и небольшие размеры для вычисления следующего
поколения потребности ", сказал Омар Хассен, исполнительный директор,
низкое напряжение тока DirectFET продукты, предприятия питания Business
Unit.
IRF6811 MOSFET контроля доступа в маленький может в то время как синхронные IRF6894 MOSFET предлагается в среде может. 25В DirectFET ® плюс
пару объединяет отрасли RDS (ON) и Rg, в сочетании с низким расходом
чтобы свести к минимуму проводимости и потерь при переключении. IRF6894
также имеет монолитно интегрированных Шоттки, что снижает потери,
связанные с телом проводимости диода и обратного восстановления. Новые DirectFET ® плюс МОП-транзисторов являются след совместима с предыдущими устройствами поколения.
